☆Process<前工程＞ □材料 ◎基板 ◆Si基板 ◆SOI基板 ◆歪シリコン基板 ◆ウエファ貼り合わせ ◎レジスト ※溶解阻害型レジスト ※化学増幅型レジスト ◎フォトマスク基板 ◎ガス ◎洗浄用薬品 ◎メッキ液 ◎CMP用材料 ◎塗布膜材料 ◎装置構成材料 □加工技術 ◎パターン形成技術 ◆リソグラフィー ＿◇マスク描画 ＿◇直接描画 ＿◇露光 ※g線：436nm ※h線：405nm ※i線：365nm KrF(フッ化クリプトン）エキシマレーザー ※248nm ArF(フッ化アルゴン）エキシマレーザー ※193nm ※EUV（極端紫外線) 13.5nm ＿◇マスク生成 ＿◇計測検査 ◆前処理洗浄技術 ◆酸化・熱処理技術 ＿◇熱酸化 ＿◇熱拡散 ＿◇CVD ＿◇アニーリング ◆アイソレーション ＿◇LOCOS 窒化膜をマスクとしてシリコン表面を選択酸化することによる絶縁膜アイソレーション ＿◇STI（シャロートレンチアイソレーション） ◆ゲート絶縁膜形成 アイソレーションとウエル形成後 １）ゲート絶縁膜形成（高品質シリコン熱酸化膜） ⇒SiO2を強化するため、膜の比誘電率を高くして膜厚厚くするため、窒素導入。 ⇒RTP ◆ゲート電極形成 ＿◇ポリサイド九蔵 ※ドープトポリシリコン膜＋タングステンシリサイド（WSi膜 ◆ソース／ドレイン形成 ◆コンタクト形成 ◆相関絶縁膜形成 ◆コンタクトプラグ ◆キャパシタ構造形成 ◆パッシベーション形成 ◆不純物導入技術 ＿◇PN結合形成 ＿◇抵抗形成 ＿◇不純物濃度制御 ＿◇導電性向上 ＿◇分離層形成 ＿◇ウエファ分離 ＿◇ゲッタリング ◆薄膜形成技術 ＿◇CVD（化学気相成長） 熱CVD ポリシリコン、シリサイド プラズマCVD SiN 高密度プラズマCVD ＿◇PVD（物理気相成長） スパッタリング Al膜、シリサイド膜、強誘電膜 ＿◇SOD 塗布絶縁膜 回転塗布 SiO2、Low k膜、ポリイミド、有機ポリマー ＿◇ECD（電気化学的成膜） 電気メッキ Cu膜 ◆平坦化技術 ＿◇平坦化が必要なレイヤ ※メタル配線 ※ビアプラグ ※層間絶縁膜（メタル間） ※コンタクトプラグ ※アイソレーション ＿◇CMP（化学的機械研磨）法 ＿◇エッチバック法 ＿◇ダマシン構造 ＿◇Low k対応 ◎デバイス構造 ◆CMOS ◆バイポーラ ◆BiCMOS ◆ ◎インターコネクション ◆絶縁膜 ◆導電膜 ＿◇Al配線 ＿◇Cu配線 ◆エッチング ＿◇等方性エッチング ※ウエットエッチング ※プラズマエッチング ※化学的 ＿◇異方性エッチング ※ドライエッチング ⇒反応性エッチング（RIE） ＿◇非選択性エッチング ※イオントリミング ※スパッタエッチング ＿◇酸化膜エッチング ※コンタクトホール ※ビアホール ＿◇シリコンエッチング ※シリコントレンチ ※エッチバック（平坦化） ＿◇窒化膜エッチング ※LOCOS ※ボンディングパッド ＿◇ポリシリコンエッチング ※ゲート電力 ＿◇メタルエッチング ※Al電極配線 ※エッチバック ◎テクノロジーロードマップ