Semiconductor_Quality

☆品質・信頼性

◎工程管理

◆品質測定

_◇試料の採取
テスト目的
ロットサイズ
サンプルサイズ

_◇オンライン工程管理
※Cp、Cpk

_◇DPM(100万個あたりの欠陥率)

_◇ITR(検査トラブル報告)

_◇LRR(検査ロット不良率)

◆文書管理

_◇仕様管理

◆製造

_◇納入業者品質
※受け入れ検査
目視検査
寸法規格検査
材料性質測定

_◇材料
※ウエファ

※化学物質

_◇マスクエンジニアリング

_◇製造環境管理
※パーティクル
※温湿度
※装置キャリブレーション、検査

_◇ウエファプロセス

_◇アセンブリ
※ダイ前処理
※ダイ・アタッチ
※ボンディング
※シーリング
※封止
※リード仕上げ
※マーキング

_◇出荷試験

◆管理

_◇監査

_◇教育

_◇顧客

◆試験

◆統計

_◇信頼性寿命曲線(バスタブ・カーブ)

_◇活性化エネルギーと温度換算

◎製品別

◆コマーシャル

◆車載、航空宇宙、軍用

◆メモリ

_◇冗長性

_◇ソフトエラー

◎信頼性試験

◆信頼性目標と不良率

_◇不良率

◆テスト

_◇高温ダイナミック・ライフ・テスト

高い温度(125℃)で動作させることにより不良発生を加速

※バーンイン。。。最初の48時間(初期不良発生率を求める)

_◇高電圧ダイナミック・ライフ・テスト

_◇低温ダイナミック・ライフ・テスト

ゲート酸化物にホット・エレクトロンを注入した時の影響や潜在不良の検知
⇒トランジスタは飽和状態
※低温(‐10℃)

_◇高温保存(ベーク)
対象ロット数 例5
温度 例 250℃
保存時間 例 1000時間

_◇高温高湿ライフ・テスト

_◇温度サイクル・テスト
対象ロット数 例5
温度サイクル 例 -65℃~150℃
サイクル数 例200

_◇プロセス安定性
※VT安定性。閾値のドリフト
※ストレス印加後のデバイス・パラメータずれの測定
⇒高温ライフ・テスト後など

_◇ソフトエラー
※リアルタイム
※加速試験(トリウムを使った加速試験)
⇒トリウムのエネルギースペクトルがパッケージ材料とほぼ同じ。

◎不良解析

◆不良メカニズム

_◇ラッチアップ
_◇セルプログラミング不良
_◇静電破壊
_◇エレクトロマイグレーション
_◇ホットキャリア
_◇湿気
_◇摩耗
_◇ソフトエラー
_◇ダイ・クラック
_◇パッシベージョン不良
_◇プラスチック・パッケージ・ボイド
_◇プラスチック・パッケージ割れ
_◇ボンディング・パッド剥離
_◇リード剥離
_◇リード疲労
_◇ボンディング温度劣化
_◇リード熱劣化
_◇ストレス腐食割れ

◎高信頼性設計

◆設計マージン
◆オーバーストレス
◆設計評価、特性評価
◆認定試験

◎解析技術

◆SEM、走査型電子顕微鏡
◆TEM、等価電子顕微鏡
◆AES、オージェ電子分光法
◆XPS、X線電子分光法
◆VC-SEM、電圧対比走査型電子顕微鏡検査法
◆光学解析
◆薄膜ストレス測定
◆RBS、ラザフォード後方散乱分光法
◆SIMS、2次イオン質量分光法
◆中性子活性化分析法
◆XRT、X線トポグラフィ
◆較正